ICP刻蚀

作品数：93被引量：215H指数：7
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InP/InGaAsP异质结ICP刻蚀表面损伤(英文)
《功能材料与器件学报》2010年第3期243-248,共6页董雷 张瑞康 江山 赵圣之 刘水华 
国家重点基础研究计划(973计划)资助项目(2010CB327603).
本文详细研究了采用Cl_2/H_2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究。详细...
关键词：等离子体刻蚀 干法刻蚀损伤 感应耦合等离子体 光荧光 
Cl2/H2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用被引量：2
《光电子．激光》2009年第5期583-586,共4页江山 董雷 张瑞康 罗勇 谢世钟 
国家高技术研究发展计划资助项目(2006AA03Z427);国家重点基础研究发展规划资助项目(2003CB314903)
采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外...
关键词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 金属氧化物化学气相沉积(MOCVD) 分布反馈(DFB)激光器 可靠性 
ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED被引量：4
《半导体光电》2008年第1期6-9,15,共5页张贤鹏 韩彦军 罗毅 薛小琳 汪莱 江洋 
国家自然科学基金项目(60536020;60390074);国家"973"计划项目(2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806;2006CB921106);国家"863"计划项目(2006AA03A105);北京市科委重大计划资助项目(D0404003040321)
采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,...
关键词：氮化镓基发光二极管 表面微结构 ICP干法刻蚀 湿法腐蚀 
ICP刻蚀GaP研究及对LED性能的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期154-157,共4页王海玲 郭霞 周跃平 沈光地 
国家自然科学基金(No.60506012);北京市教育委员会科技发展计划重点项目(KZ200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504);国家973计划(2006CB604902);北京市科技新星计划(2005A11)
深入研究了GaP材料在高密度感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,即通过改变其中一个参数而保持其它参数不变来得出变化规律;同时将刻蚀GaP材料应用到红光LED制作,即电流...
关键词：磷化镓 感应耦合等离子体 刻蚀 
p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1097-1103,共7页龚欣 吕玲 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均...
关键词：GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤 
ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第1期178-182,共5页曹萌 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 刘成 张军 江山 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)~~
为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深...
关键词：干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤 
Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展被引量：2
《半导体光电》2005年第4期274-279,共6页马丽娜 郭霞 沈光地 
国家"973"计划项目(20000683002);北京市科委重点项目(D0404003040221)
随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究。对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀I、CP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究热点进行了较为深刻的分析。
关键词：Ⅲ族氮化物 湿法腐蚀 ICP刻蚀 
纳米级精细线条图形的微细加工被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1722-1725,共4页任黎明 王文平 陈宝钦 周毅 黄如 张兴 
国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP刻蚀技术进行了研究 ,形成一套以负性化学放大胶 SAL- 6 0 1为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP刻蚀的优化工艺参数 ,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出...
关键词：微细加工 电子束光刻 邻近效应校正 ICP刻蚀 
ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1500-1504,共5页樊中朝 余金中 陈少武 杨笛 严清峰 王良臣 
国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 )资助项目~~
研究了以 C4 F8/SF6 /O2 为刻蚀气体 ,利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中 ,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系 .实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ,在低偏压、低 C4 F8/SF6 比和较高压强下更容易获得低粗...
关键词：SOI ICP 粗糙度 脊形光波导 
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