云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 淀积

淀积: 作品数：765被引量：1095H指数：13; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：郝跃张卫黄如杨富华张荣更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院上海华虹宏力半导体制造有限公司复旦大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期492-495,共4页刘斌张荣谢自力姬小利李亮周建军江若琏韩平郑有炓郑建国龚海梅; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049),国家自然科学基金(批准号:6039072,60476030,60421003,60676057),教育部重大项目(批准号:10416),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004),江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210,BK2006126),江苏省高等学校研究生创新基金资助项目; 利用金属有机物化学气相淀积系统(MOCVD)制备了AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫外范围,分别由多周期的双层结构GaN/AlN,Al0.3Ga0.7N/AlN,Al0.5Ga0.5N/AlN组成.这些多周期光学结构都生长在GaN支...; 关键词：金属有机物化学气相淀积布拉格反射镜反射率

复合布拉格反射镜高亮度AlGaInP发光二极管被引量：8: 《Journal of Semiconductors》2007年第1期100-103,共4页于晓东韩军李建军邓军林委之达小丽陈依新沈光地; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);北京市人才强教计划(批准号:05002015200504);北京工业大学第四届研究生科技基金资助项目~~; 采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0·6Ga0·4As/AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性,用LP-MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构,测量了其白光反射谱,实验与模拟结果基本符合.制备了采用Al0...; 关键词：红光LED 复合分布式布拉格反射镜金属有机物化学气相淀积光提取效率

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期111-114,共4页夏冬梅王荣华王琦韩平梅琴陈刚谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142),国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目; 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGe...; 关键词：化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层载流子

不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射: 《Journal of Semiconductors》2006年第6期1012-1015,共4页张冠杰徐波陈涌海姚江宏林耀望舒永春皮彪邢晓东刘如彬舒强王占国许京军; 国家自然科学基金(批准号:60476042);天津市应用基础研究(批准号:06YFJZJC01100)资助项目~~; 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs...; 关键词：量子点喇曼散射应变效应限制效应

Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期151-154,共4页王荣华韩平夏冬梅李志兵韩甜甜刘成祥符凯谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)资助项目; 用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向...; 关键词：化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 Ge薄膜

基于MEMS技术的红外成像焦平面阵列被引量：7: 《Journal of Semiconductors》2006年第1期150-155,共6页李超波焦斌斌石莎莉叶甜春陈大鹏张青川郭哲颖董凤良伍小平; 国家自然科学基金(批准号:60236010);国家高技术研究发展计划(批准号:2005AA404210)资助项目~~; 选用Au和LPCVD的低应力Si Nx薄膜材料,采用MEMS技术研制了新型间隔镀金热隔离结构的薄膜镂空式非制冷红外成像焦平面阵列,并应用光学读出的方法成功地在室温(27.47℃)背景下获得了人体的热像.实验证明间隔镀金热隔离结构的引入有效抑制...; 关键词：微机械焦平面阵列光力学低压化学气相淀积氮化硅噪声等效温度差

基于SIMOX的耐高温压力传感器芯片制作被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2005年第8期1595-1598,共4页王权丁建宁王文襄熊斌; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA404470);国家"九五"传感器技术攻关(批准号:96-748-02-01/07)资助项目~~; 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求，设计了压阻式压力传感器敏感芯片，采用SIMOX技术的SOI晶片，在微加工平台上通过低压化学气相淀积法（LPCVD）均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体（ICP）...; 关键词：高温压力传感器 SIMOX 低压化学气相淀积电感耦合等离子体深刻蚀

聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2004年第11期1458-1463,共6页江素华唐凌王家楫; 通过一系列实验 ,对聚焦离子束诱发 MOCVD的成膜机理进行了研究 ,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型 .发现随着离子束流的增大 ,薄膜淀积速率增大 ,但并非完全线性增加 ,薄膜中的 C/ Pt比例也随之变化 ,薄膜电阻率则随...; 关键词：聚焦离子束金属有机化学气相淀积薄膜铂碳

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2001年第10期1277-1283,共7页王玉霞曹颖何海平汤洪高王连卫黄继颇林成鲁; 国家自然科学基金资助项目 (项目编号 :5 9772 0 16 )~~; 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度...; 关键词：薄膜晶化温度准分子激光光致发光碳化硅硅

在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜被引量：14: 《Journal of Semiconductors》2000年第6期570-575,共6页王玉霞温军郭震汤洪高黄继颇王连卫林成鲁; 国家自然科学基金资助项目!项目编号 59772 0 1 6; 报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、...; 关键词：准分子激光淀积碳化硅薄膜

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