离子刻蚀

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基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究
《微电子学》2021年第2期265-269,共5页李明浩 王俊强 李孟委 
国家自然科学基金资助项目(61804137);"173计划"基金资助项目(2017JCJQZD00604)。
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的...
关键词：硅通孔 微机电系统封装 双面盲孔电镀 深反应离子刻蚀 
MEMS开关中聚合物牺牲层去除方法研究被引量：1
《微电子学》2020年第6期890-893,共4页张翼 鲍景富 黄裕霖 李昕熠 张亭 张晓升 
国家自然科学基金资助项目(61804023);四川省科技计划项目(2018GZ0527)。
制作了一种以聚酰亚胺作为牺牲层的低下拉电压开关,聚酰亚胺牺牲层采用反应离子刻蚀(RIE)工艺进行刻蚀。研究了刻蚀功率对刻蚀时间的影响,检验了不同刻蚀功率与刻蚀时间组合条件下开关梁的结构完整性,优化了该RIE工艺。实验结果表明,聚...
关键词：MEMS开关 聚酰亚胺 反应离子刻蚀 牺牲层释放 
SU-8光刻胶去胶工艺研究被引量：5
《微电子学》2020年第6期910-913,共4页张笛 王英 瞿敏妮 孔路瑶 程秀兰 
科技部重点专项(2016YFB0200205)。
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基...
关键词：SU-8光刻胶 O2/CF4 等离子刻蚀 去胶 
等离子刻蚀铝硅铜表面质量控制技术研究
《微电子学》2012年第2期277-280,共4页王大平 唐昭焕 梁涛 朱煜开 王斌 谭开洲 
国家重大基础研究基金资助项目(Y61398)
针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件...
关键词：等离子体刻蚀 铝硅铜 金属互连 
非光敏BCB工艺技术研究被引量：3
《微电子学》2010年第5期754-757,共4页刘欣 谢廷明 
非光敏BCB介质具有介电常数小、吸水率低、热稳定性好、力学性能优良、固化温度低,以及表面平坦化特性好等优点,作为重要的介质材料,已经应用于薄膜多芯片组件(MCM)基板布线中。文章研究了薄膜多层布线工艺中非光敏BCB介质的涂覆、固化...
关键词：多芯片组件 非光敏BCB 涂覆 固化 等离子刻蚀 
采用深阱结构的耐压技术被引量：2
《微电子学》2004年第2期203-206,共4页易坤 张波 罗小蓉 李肇基 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439080101DZ0202)
　讨论了基于深阱结构的提高器件击穿电压的技术。采用深阱结构的结终端技术,消除了平面工艺所产生的曲面结,从而使器件的击穿电压接近理想平行平面结的击穿电压。同时,该结终端技术还具有占用器件面积极小的优点;通过向阱中填充低介电...
关键词：深阱结构 击穿电压 结终端 反应离子刻蚀 峰值电场 功率三极管 横向二极管 LDMOS 
硅的横向刻蚀技术研究被引量：1
《微电子学》2001年第3期195-197,203,共4页范忠 赖宗声 秦元菊 孔庆粤 
国家自然科学基金 (6 9876 0 12 );高校博士点专项基金 (1998年度 )
研究了 SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对 Si O2 的选择性 ,主要通过改变 SF6气体流量和加入 O2 ,提高硅的横向刻蚀速率和对 Si O2 选择性。实验发现 ,加入 O2 能提高 SF6等离子对 Si的横向刻蚀速率和 Si/Si O2 的刻蚀速率比。Si的横向...
关键词：MEMS 等离子刻蚀 横向刻蚀 硅 
用于HBT的SiGe合金材料层的腐蚀工艺研究被引量：1
《微电子学》2000年第2期76-78,共3页欧益宏 刘道广 李开成 
探索利用反应离子刻蚀 ( RIE)和湿法腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的工艺条件。对两种腐蚀方法的利弊进行了对比 ,找出腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的实用化途径 ,并且解决了不同 Ge含量的 Si1-x Gex
关键词：硅-锗合金 反应离子刻蚀 异质结 双极晶体管 
用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究
《微电子学》2000年第1期8-10,共3页颜雷 黄维宁 姜国宝 汤庭鳌 程旭 钟琪 姚海平 汤祥云 
国家自然科学基金! ( 698760 0 8);AM基金;"863"资助项目
制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2...
关键词：铁电存储器 反应离子刻蚀 铁电薄膜 
1μm宽硅深槽刻蚀技术被引量：3
《微电子学》1996年第1期35-39,共5页王清平 郭林 刘兴凤 蔡永才 黄正学 
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
关键词：反应离子刻蚀 硅深槽隔离 微电子器件 工艺 
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